保护之元件来使用-继电保护测试仪

      

保护之元件来使用-继电保护测试仪
 向电阻降低到一个很少的数值,电压前都具有很高电阻的半导体器件.继电保护测试仪这临界击穿点上.继电保护相关知识这个低 阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的 , 因为这种 特征,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用 . 其伏安特性见图1,稳压二极管 可以串联起来以便在较高的电压上使用 ,继电保护保护方法 颠末串联就可获得更多的动摇电压 .

稳压管的使用 :

这就使得它可作为限制或 保护之元件来使用 ,1继电保护测试仪数据分析浪涌保护电路 ( 如图 2 :稳压管在精确的电压下击穿.因为各种电压的稳压二极管都可以得到 , 故对于这种应用特别 适合 .图中的稳压二极管 D 作为过压保护器件. 只要电源电压VS逾越二极管的稳压 值 D 就导通 , 使继电器 J 吸合负载 RL就与电源分开 .

当EC电压过高时 ,2 微机继电保护测试仪技术电视机里的过压保护电路 ( 如图 3 :EC 电视机主供电压 .D 导通 , 三极管BG导通,其集电极电位将由原来的高电平 ( 5V 变为低电平 ,颠末待机控制线的控制使电视机进入待机保护状态.

当线圈在导通状态切断时 ,3 电弧抑制电路如图4:电感线圈上并联接入一只合适的稳压二极管(也可接入一只普通二极管原理一样 ) 话 . 由于其电磁能释放所产生的高压就被二极管所吸收,所以当开关断开时,开关的电弧也就被消除了 . 这个运用电路在财产上用 得比较多,如一些较大功率的电磁吸控制电路就用到.

串联稳压管BG 基极被稳压二极管 D 钳定在 13V,4 串联型稳压电路 ( 如图 5:此电路中. 那么其发射极就输出恒定的 12V电压了 . 这个电路在很多场合下都有应用

当把集电极当发射极使用时,继电保护研究由于三极管的发射结与集电结的结构上的差异。其电流放大系数β较小,反之β值较大。一定基极后,比较三极管的β值大小,可以一定集电极和发射极。

发射极和集电极之间加一小电压,使三极管基极开路。使发射结承受正向电压,集电结承受反向电压,这时集电极之间加一偏流电流(如用欧姆表,反响进去是电阻很大)基极和集电极之间加一偏流电阻,集电极电流显著增大(因有了必定的基极电流)这时集电极和发射极之间电阻仅为偏流电阻的十几分之一。从集电极电流墙的幅度可判断β值的巨细(用欧姆表时,假设表针偏角较基极开路时增加的幅度大,则β值就大)

分类

按生产工艺分:合金型、聚集型、抬面和平面型三极管。

按内部结构分:点兵戈型和面接触型三极管。

从使用角度。

按工作频率分:低频三极管、高频三极管、开关三极管。

按功率分:小功率三极管、**率三极管、大功率三极管

按外形结构分:小功率封装、大功率封装、塑料封装等

四:电感

与电流大小无关。除专门的电感线圈(色码电感)外,二、继电保护测试仪电感线圈的主要特点参数1电感量L表示线圈本身固有特征。电感量一般不专门标注在线圈上,而以特定的名称标注。 2 感抗XL电感线圈对交流电流阻碍作用的说道感抗XL单元是欧姆。与电感量 L 和交流电频率 f 联络为 XL=2 π fL 3 品质要素Q表示线圈品质的一个物理量, Q 为感抗XL与其等效的电阻的比值,即: Q=XL/R 线圈的Q值愈高,回路的耗费愈小。线圈的Q值与导线的直流电阻,骨架的介质消耗,屏蔽罩或铁芯引起的消耗,高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q值通常为几十到几百。4分布电容线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值减小,动摇性变差,因而线圈的分布电容越小越好。

其平面不与旋转面平行,三、常用线圈1单层线圈是用绝缘导线一圈挨一圈地绕在纸筒或胶木骨架上。如晶体管收音机中波天线线圈。2蜂房式线圈如果所绕制的线圈。而是相交成一定的角度,这种线圈称为蜂房式线圈。而其旋转一周,导线往复弯折的次数,常称为折点数。蜂房式绕法的长处是体积小,分布电容小,而且电感量大。蜂房式线圈都是使用蜂房绕线机来绕制,折点越多,分布电容越小3铁氧体磁芯和铁粉芯线圈的电感量大小与有无磁芯有关。空芯线圈中插入铁氧体磁芯,可增加电感量和提高线圈的品质要素。4铜芯线圈在超短波范围应用较多,使用旋动铜芯在线圈中的位置来改变电感量,这种调解比较便当、耐用。5色码电感器是具有活动电感量的电感器,其电感量标志方法同电阻一样以色环来标记。6阻流圈(扼流圈)限制交流电通过的线圈称阻流圈,分高频阻流圈和低频阻流圈。7偏转线圈是电视机扫描电路输出级的负载,偏转线圈要求:偏转灵敏度高、磁场平均、Q值高、体积小、代价低。

六:继电保护测试仪双重保护变容二极管

并采用外延工艺技术。反偏电压愈大,又称"继电保护测试仪可变电抗二极管"一种利用pn结电容(势垒电容)与其反向偏置电压Vr依托联络及原理制成的二极管。所用材料多为硅或砷化镓单晶。则结电容愈小。变容二极管具有与衬底材料电阻率有关的串联电阻。主要参量是零偏结电容。零偏压优值、反向击穿电压、中心反向偏压、标称电容、电容变化范围(以皮法为单位)以及中止频率等,对于一致用处,应选用不同C和Vr特征的变容m极管,如有专用于谐振电路调谐的电调变容二极管、适用于参放的参放变容二极管以及用于固体功率源中倍频、移相的功率阶跃变容二极管等。

使其PN结的静电容量爆发转变。因而,用于自动频率掌握(AFC和调谐用的小功率二极管称变容二极管。继电保护可靠性日本厂商方面也有其它许多叫法。颠末施加反向电压。被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。一般,固然是采纳硅的聚集型二极管,但是也可采用合金扩散型、电力系统继电保护测试仪外延别离型、双重聚集型等特殊制作的二极管,因为这些二极管对于电压而言,其静电容量的改变率特别大。结电容随反向电压VR转变,替代可变电容,用作调谐回路、振荡电路、锁相环路,常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路,多以硅材料制作。

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